Technologia VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) pozwala na układanie tranzystorów zarówno w pionie, jak i w poziomie, przyspieszając wymianę informacji przy jednoczesnej redukcji energii. Dotychczas najbardziej zaawansowaną technologią było Nanosheet niewidoczne w technologii komputerowej. Twórcy przemysłowych układów krzemowych mieli do dyspozycji „jedynie” FinFET, w której to technologii swoją droga zostały wykonane najnowsze procesory Intela 12. generacji.
IBM oświadcza, iż VTFET zapewni 85-procentową redukcję apetytu na energię przy zachowaniu identycznej wydajności bądź podwoi wydajność przy zachowaniu identycznego poboru energii.
Według Samsunga oraz IBM nowa technologia pomoże podtrzymać przy życiu prawo Moore’a mówiące, iż ilość tranzystorów ulega podwojeniu co okres 2 lat zgodnie z trendem wykładniczym. W maju tego roku IBM stworzyło nawet działający chip w technologii 2 nm VTFET mieszczący na powierzchni wielkości paznokcia bagatela 50 miliardów tranzystorów. Przypomnę tylko, iż paznokieć ma uśrednioną powierzchnię 100 mm2, AMD Ryzen 5950X na powierzchni ~80 mm2 posiada natomiast 4,15 mld tranzystorów – jest to niemalże 14,5-krotna różnica w gęstości.
VTFET Nanosheet pomoże przy budowie potężniejszych akumulatorów, w tym baterii do urządzeń mobilnych, urządzeń IoT, usług działających „w chmurze”, lotnictwie oraz rozwinie wszystkie gałęzie korzystające z technologii półprzewodnikowej.
Źródło: research.ibm.com
